SSM3J352F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | SSM3J352F,LF |
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Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.49 |
10+ | $0.365 |
100+ | $0.2065 |
500+ | $0.1367 |
1000+ | $0.1048 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | S-Mini |
Serie | U-MOSVI |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 2A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.2W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 210 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1 nC @ 4.5 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2A (Ta) |
Grundproduktnummer | SSM3J352 |
SSM3J352F,LF Einzelheiten PDF [English] | SSM3J352F,LF PDF - EN.pdf |
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2024/06/6
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2023/12/20
![]() SSM3J352F,LFToshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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